近来西部数据举行了公司的投资者日，宣告了未来的愿景和战略，NAND闪存事务的剥离方案估计将于2025年2月21日完结。未来西部数据SSD产品线将转向SanDisk（闪迪），后者也简略地介绍了本年行将推出的新款SSD产品和技能，特别是高带宽闪存HBF，令人耳目一新。
据TrendForce报导，SanDisk和铠侠（Kioxia）组成的NAND闪存合资企业占有了2024年第三季度全世界NAND闪存位产值的三分之一，不同的是，铠侠的方针是在2025年进步218层NAND闪存的产值，而SanDisk仍然在优化112/162层NAND闪存的出产，以完成收入最大化。SanDisk正在推动BiCS9 FLASH 3D闪存技能，率先会带来1Tb TLC芯片，将超越300层。
高带宽闪存HBF是SanDisk经过带宽优化的NAND产品，规划思路类似于HBM，以很多I/O引脚和多层堆叠结合，相当于高带宽NAND闪存。事实上，HBF与HBM同享了电气接口，带宽也相挨近，不过适配的介质从DRAM切换至NAND，协议略有改变，所以不完全兼容。
SanDisk泄漏，HBF完成了8层到16层堆叠，可以部分替换HBM，经过逻辑芯片和中介层连接到GPU/CPU/TPU，可供给HBF+HBM的自定义组合产品。SanDisk的主意已得到了业界的重视，假如未来三星、SK海力士和美光可以支撑，有或许演化称挨近存储级的内存。
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